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动态RAM的刷新
一般取2ms，对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新，称为刷新周期，又称再生周期。刷新的单位是行，仅需要行地址。
①集中刷新：在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此刻必须停止读/写操作，称“死时间”或“死区”。(全部一起刷)
②分散刷新：对每行存储单元的刷新分到每个存取周期内完成。优点：没有死区。缺点：存取周期加长，整个系统速度降低。(一个个刷)
③异步刷新：是前两种方式的结合，既缩短“死时间”，又充分利用最大刷新时间间隔为2ms的特点。(一行行刷)
一行行刷的平均刷新时间：
行数 = 芯片容量 / 每行存储单元个数
平均刷新时间 = 间隔最长 / 行数
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