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毕大炜 男 硕导 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： davidb@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号8号楼510室
邮政编码：
招生信息
招生专业
080903-微电子学与固体电子学
招生方向
高可靠SOI集成电路技术
教育背景
2005-09--2010-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士
2001-09--2005-06 中国科学技术大学 本科
工作经历
工作简历
2015-01~现在, 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 副研究员
2010-06~2014-12,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员
2005-09~2010-05,中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 博士
2001-09~2005-06,中国科学技术大学, 本科
社会兼职
2018-09-01-2019-08-31,昆山市科学技术局, 副局长
专利与奖励
奖励信息
(1) 2017-2019年度辐射物理领域十大科技进展奖, 一等奖, 部委级, 2019
(2) SOI专用技术与设备开发合作奖, 一等奖, 其他, 2019
专利成果
( 1 ) 一种抗辐射的SOI材料的制备方法, 2020, 第 1 作者, 专利号: 202010578947.6
出版信息
发表论文
(1) Substrate effect on radiation-induced charge trapping in buried oxide for partially-depleted SOI NMOSFET, IEICE Electronics Express, 2020, 通讯作者
(2) A Special Total-Ionizing-Dose-Induced Short Channel Effect in Thin-Film PDSOI Technology: Phenomena, Analyses, and Models, IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 第 1 作者
(3) The characterization of the built-in bipolar junction transistor in H-gate PDSOI NMOS, Solid-State Electronics, 2020, 通讯作者
(4) The analysis of the anomalous hot-carrier effect in partially depleted SOI pMOSFETs fabricated on modified wafer, Microelectronics Reliability, 2019, 第 2 作者
(5) Metastable Electron Traps in Modified Silicon-on-Insulator Wafer, CHIN. PHYS. LETT., 2018, 第 2 作者
(6) Influence of characteristics measurement sequence on total ionizing dose effect in PDSOI nMOSFET, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者
(7) Research on the radiation hardened SOI devices with Single step Si ion implantation, Chin. Phys. B, 2018, 第 2 作者
科研活动
科研项目
( 1 ) 特殊晶体管定制工艺开发, 主持, 国家级, 2018-01--2020-12
( 2 ) 130nm高可靠SOI工艺建模建库技术研究, 参与, 省级, 2018-02--2020-06
( 3 ) 41424040503, 参与, 国家级, 2016-01--2020-12
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